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GenX3 TM 600V IGBT
Ultra-Low-Vsat PT IGBT for
IXGN400N60A3
V CES = 600V
I C25 = 400A
V CE(sat) ≤ 1.25V
up to 5kHz Switching
E
SOT-227B, miniBLOC
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
E153432
V CES
V CGR
V GES
V GEM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GE = 1M ?
Continuous
Transient
600
600
±20
±30
V
V
V
V
G
E
I C25
I C110
T C = 25 ° C (Chip Capability)
T C = 110 ° C
400
190
A
A
C
E
I LRMS
I CM
SSOA
(RBSOA)
P C
T J
Terminal Current Limit
T C = 25 ° C, 1ms
V GE = 15V, T VJ = 125 ° C, R G = 0.5 ?
Clamped Inductive Load
T C = 25 ° C
200
800
I CM = 400
@ 0.8 ? V CES
830
-55 ... +150
A
A
A
W
° C
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
either emitter terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
Features
T JM
T stg
V ISOL
50/60Hz
I ISOL ≤ 1mA
t = 1min
t = 1s
150
-55 ... +150
2500
3000
° C
° C
V~
V~
Optimized for Low Conduction losses
Square RBSOA
High Current Capability
Isolation Voltage 3000 V~
M d
Weight
Mounting Torque
Terminal Connection Torque (M4)
1.5/13
1.3/11.5
30
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
International Standard Package
A dvantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
BV CES I C = 1mA, V GE = 0V
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
600
V
Power Inverters
UPS
Motor Drives
V GE(th)
I C
= 4mA, V CE = V GE
3.0
5.0
V
SMPS
I CES
I GES
V CE = V CES , V GE = 0V
V CE = 0V, V GE = ±20V
T J = 125 ° C
250 μA
2.5 mA
±400 nA
PFC Circuits
Battery Chargers
Welding Machines
Lamp Ballasts
V CE(sat)
I C
I C
= 100A, V GE = 15V, Note 1
= 400A
1.05
1.55
1.25
V
V
Inrush Current Protection Circuits
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99577B(07/09)
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IXGN50N60BD3 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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